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元件参数资料
>
参数目录39771
> FDN359AN MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
型号:
FDN359AN
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDN359AN PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告
Wire Bonding Change 07/Nov/2008
Mold Compound Change 08/April/2008
产品目录绘图
SuperSOT-3, SOT-23
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
46 毫欧 @ 2.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
480pF @ 10V
功率 - 最大
460mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
3-SSOT
包装
标准包装
产品目录页面
1602 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FDN359ANDKR
查看FDN359AN代理商
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